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IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
TOP
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
100
10
5.0V
BOTTOM 4.7V
10
T J = 150 ° C
T J = 25 C
°
1
4.7V
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
0.1
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
100
TOP
VGS
15V
3.0
I D = 9.2A
10V
8.0V
7.0V
6.0V
2.5
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.7V
2.0
10
4.7V
1.5
1.0
0.5
1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
100
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS =10V
80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Document Number: 90362
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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